Полупроводниковые ЗУ подразделяются на ЗУ с произвольной выборкой и ЗУ с последовательным доступом. ЗУПВ подразделяются на:
- статические оперативные запоминающие устройства (СОЗУ);
- динамические оперативные запоминающие устройства (ДОЗУ). ЗУ с последовательным доступом подразделяются на:
- регистры сдвига;
- приборы с зарядовой связью (ПЗС).

В основе большинства современных ОЗУ лежат комплиментарные МОП ИМС (КМОП), которые отличаются малой потребляемой мощностью. Это достигается применением пары МОП транзисторов с разным типом канала: n-МОП и p-МОП. Как видно на рис. 4.5, в КМОП инверторе как при низком, так и при высоком уровне сигнала на входе один из транзисторов закрыт. Поэтому потребление энергии происходит только при переключении "1"R"0" (и обратно).

Рис. 4.5. Схема КМОП инвертора.

Чтобы реализовать на подложке n-типа не только p-канальный транзистор, но и n-канальный, последний изготавливается в так называемом "кармане", как показано на рис. 4.6

Рис. 4.6. Конструкция инвертора на КМОП транзисторах.

Аналогично на четырех МОП транзисторах (2 n-МОП и 2 p-МОП, включенных параллельно и последовательно) можно построить и другие базовые логические элементы "И" и "ИЛИ" и, соответственно, на их основе строятся все другие более сложные логические схемы.

Как известно, быстродействие МОП транзисторов в первую очередь ограничивается большой входной емкостью затвор-исток (подложка). Уменьшение геометрических размеров приборов (площади затвора и длины канала) при увеличении степени интеграции увеличивает граничную частоту.

Малое потребление энергии позволяет использовать КМОП ИМС с питанием от микробатареи как ПЗУ, где располагается часть операционной системы, которая осуществляет начальную загрузку всей системы (программа Setup).

Элементарной ячейкой статического ОЗУ с произвольной выборкой является триггер на транзисторах Т1-Т4 (рис. 3.7) с ключами Т5-Т8 для доступа к шине данных. Причем Т1-Т2 - это нагрузки, а Т3-Т4 - нормально закрытые элементы.

Рис. 4.7. Ячейка статического ОЗУ.

Сопротивление элементов Т1-Т2 легко регулируется в процессе изготовления транзистора путем подгонки порогового напряжения при легировании поликремниевого затвора методом ионной имплантации. Количество транзисторов (6 или 8) на ячейку зависит от логической организации памяти микропроцессорной системы.

В отличие от статических ЗУ, которые хранят информацию пока включено питание, в динамических ЗУ необходима постоянная регенерация информации, однако при этом для хранения одного бита в ДОЗУ нужны всего 1-2 транзистора и накопительный конденсатор (рис. 4.8). Такие схемы более компактны.

Рис. 4.8. Запоминающая ячейка динамического ОЗУ.

Рис. 4.9. Конструкция ячейки ДОЗУ (см. рис. 4.8, слева). Снизу представлен разрез схемы по линии А-А.

Естественно, что в микросхеме динамического ОЗУ есть один или несколько тактовых генераторов и логическая схема для восстановления информационного заряда, стекающего с конденсатора. Это несколько "утяжеляет" конструкцию ИМС.

Чаще всего и СОЗУ, и ДОЗУ выполнены в виде ЗУ с произвольной выборкой, которые имеют ряд преимуществ перед ЗУ с последовательным доступом.

<<< Содержание >>>